Научные работы посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад был сделан им в физику и технику полупроводников, он один из первых указал основные направления применения полупроводников. Уже в докторской диссертации, выполненной в лаборатории Рентгена в Мюнхене, Иоффе проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах, за что ему была присуждена степень доктора с высшим отличием. Классическими cтали его исследования пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, он обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Иоффе первый выяснил вопрос о так называемых электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла. Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов. Работы Иоффе с сотрудниками по изучению электрической прочности тонких слоев диэлектриков завершились созданием новых электротехнических материалов и разработкой методов устранения

Оставить комментарий
Сообщить об ошибке