|
Родился 15 марта 1930 в Витебске.
Его родители, убежденные коммунисты, назвали старшего сына (в возрасте
20 лет он погиб на войне) Марксом, а младшего – Жоресом, в честь
основателя французской социалистической партии. Отец был «красным
директором» разных военных заводов, семью бросало из города в
город. Семилетку Жорес окончил на Сясьстрое (Урал), а в 1945 родители
переехали в Минск; здесь в 1948 Алферов окончил 42-ю среднюю школу, где
физику преподавал Я.Б.Мельцерзон – «учитель милостью
божьей», ухитрившийся в разоренной школе, без физического
кабинета, привить ученикам интерес и любовь к своему предмету. По его
совету Алферов поступил в Ленинградский электротехнический институт на
факультет электронной техники. В 1953 он окончил институт и как один из
лучших студентов был принят на работу в Физико-технический институт в
лабораторию В.М.Тучкевича. В этом институте Алферов работает и поныне,
с 1987 – в качестве директора.
В первой половине 1950-х годов лаборатория Тучкевича начала
разрабатывать отечественные полупроводниковые приборы на основе
монокристаллов германия. Алферов участвовал в создании первых в СССР
транзисторов и силовых германиевых тиристоров, а в 1959 защитил
кандидатскую диссертацию, посвященную исследованию германиевых и
кремниевых силовых выпрямителей. В те годы была впервые высказана идея
использования не гомо-, а гетеропереходов в полупроводниках для
создания более эффективных приборов. Однако многие считали работу над
гетеропереходными структурами бесперспективной, поскольку к тому
времени создание близкого к идеальному перехода и подбор гетеропар
казались неразрешимой задачей. Однако на основе так называемых
эпитаксиальных методов, позволяющих варьировать параметры
полупроводника, Алферову удалось подобрать пару – GaAs и GaAlAs
– и создать эффективные гетероструктуры. Он и сейчас любит
пошутить на эту тему, говоря, что «нормально – это когда
гетеро, а не гомо. Гетеро – это нормальный путь развития
природы».
Начиная с 1968 развернулось соревнование ЛФТИ с американскими фирмами
Bell Telephone, IBM и RCA – кто первый разработает промышленную
технологию создания полупроводников на гетероструктурах. Отечественным
ученым удалось буквально на месяц опередить конкурентов; первый
непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России, в
лаборатории Алферова. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой
и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 на
космической станции «Мир»: батареи проработали весь срок
эксплуатации до 2001 без заметного снижения мощности.
Технология конструирования полупроводниковых систем достигла такого
уровня, что стало возможным задавать кристаллу практически любые
параметры: в частности, если расположить запрещенные зоны определенным
образом, то электроны проводимости в полупроводниках смогут
перемещаться лишь в одной плоскости – получится так называемая
«квантовая плоскость». Если расположить запрещенные зоны
иначе, то электроны проводимости смогут перемещаться лишь в одном
направлении – это «квантовая проволока»; можно и
вовсе перекрыть возможности перемещения свободных электронов –
получится «квантовая точка». Именно получением и
исследованием свойств наноструктур пониженной размерности –
квантовых проволок и квантовых точек – занимается сегодня
Алферов.
По известной физтеховской традиции Алферов многие годы сочетает
научные исследования с преподаванием. С 1973 он заведует базовой
кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института
(ныне Санкт-Петербургский электротехнический университет), с 1988 он
– декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского
государственного технического университета.
Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 он был избран
членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 – ее
действительным членом, в 1990 – вице-президентом Российской
академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.
Алферов – почетный доктор многих университетов и почетный член
многих академий. Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971)
Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией
Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987),
премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук,
Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999),
премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).
В 2000 Алферов получил Нобелевскую премию по физике «за
достижения в электронике» совместно с американцами Дж.Килби и
Г.Крёмером. Крёмер, как и Алферов, получил награду за разработку
полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и
микроэлектронных компонентов (Алферов и Крёмер получили половину
денежной премии), а Килби– за разработку идеологии и технологии
создания микрочипов (вторую половину).
 Оставить комментарий
 Сообщить об ошибке
| 
